2009-11-06から1日間の記事一覧
MOS FET で、しきい値電圧 を超えるゲート・ソース間電圧 をかけて、強反転領域かつ、ドレイン電圧が十分高くて飽和領域にある場合、ドレイン電流は模式的には次のように表されます。 このような MOS FET で差動ペアを構成すると、その差動出力電流と差動電…
MOS FET で、しきい値電圧 を超えるゲート・ソース間電圧 をかけて、強反転領域かつ、ドレイン電圧が十分高くて飽和領域にある場合、ドレイン電流は模式的には次のように表されます。 このような MOS FET で差動ペアを構成すると、その差動出力電流と差動電…